Hoy han salido a la luz los primeros análisis técnicos independientes de los portátiles equipados con el chip Snapdragon X Elite (arquitectura Oryon) bajo cargas de trabajo sostenidas, y los datos de thermal throttling son bastante reveladores.
Aunque el rendimiento en ráfagas cortas de un solo núcleo es capaz de batir al Apple M3, el sistema de gestión térmica de Windows sobre ARM está teniendo serios problemas para mantener las frecuencias de reloj por encima de los 3.4 GHz tras diez minutos de renderizado continuo. A nivel de bajo nivel, se observa que el planificador de Windows no está discriminando correctamente entre los núcleos de alto rendimiento y los de eficiencia cuando el SoC alcanza los 85°C, provocando una caída drástica de los hercios en todos los clústeres simultáneamente para evitar el daño por calor.
Este comportamiento técnico sugiere que los fabricantes de portátiles están priorizando el diseño extremadamente delgado por encima de la capacidad de disipación real que exige este silicio cuando se le exprime al máximo.
En las pruebas de hoy, se ha detectado que el ancho de banda de la memoria LPDDR5X también sufre una penalización por temperatura, lo que aumenta la latencia de acceso a la caché L3 y degrada el rendimiento de la NPU en tareas de IA local. Para nosotros, esto significa que si vas a comprar uno de estos equipos para algo más que ofimática ligera, la elección del chasis será más determinante que el propio procesador; sin una refrigeración activa bien diseñada, el potencial bruto del Snapdragon X Elite se diluye rápidamente, convirtiéndose en un procesador mucho más discreto una vez que el calor satura el limitado espacio de los diseños actuales sin ventiladores o con sistemas pasivos.
Fuente: https://www.notebookcheck.net/Qualcomm-Snapdragon-X-Elite-Analysis-Performance-Efficiency-and-Throttling.845620.0.html
Aunque el rendimiento en ráfagas cortas de un solo núcleo es capaz de batir al Apple M3, el sistema de gestión térmica de Windows sobre ARM está teniendo serios problemas para mantener las frecuencias de reloj por encima de los 3.4 GHz tras diez minutos de renderizado continuo. A nivel de bajo nivel, se observa que el planificador de Windows no está discriminando correctamente entre los núcleos de alto rendimiento y los de eficiencia cuando el SoC alcanza los 85°C, provocando una caída drástica de los hercios en todos los clústeres simultáneamente para evitar el daño por calor.
Este comportamiento técnico sugiere que los fabricantes de portátiles están priorizando el diseño extremadamente delgado por encima de la capacidad de disipación real que exige este silicio cuando se le exprime al máximo.
En las pruebas de hoy, se ha detectado que el ancho de banda de la memoria LPDDR5X también sufre una penalización por temperatura, lo que aumenta la latencia de acceso a la caché L3 y degrada el rendimiento de la NPU en tareas de IA local. Para nosotros, esto significa que si vas a comprar uno de estos equipos para algo más que ofimática ligera, la elección del chasis será más determinante que el propio procesador; sin una refrigeración activa bien diseñada, el potencial bruto del Snapdragon X Elite se diluye rápidamente, convirtiéndose en un procesador mucho más discreto una vez que el calor satura el limitado espacio de los diseños actuales sin ventiladores o con sistemas pasivos.
Fuente: https://www.notebookcheck.net/Qualcomm-Snapdragon-X-Elite-Analysis-Performance-Efficiency-and-Throttling.845620.0.html