Investigadores da University of Glasgow School of Chemistry, no Reino Unido, e da Engineering and Rovira i Virgili University, em Espanha, afirmam que utilizando aglomerados de óxido de metal será possível reter a carga eléctrica necessária para criar uma nova base para as células de datos que se utilizan en las conocidas memorias Flash.
Con esta premisa, 13 investigadores han usado tungsteno para sintetizar los clústers de óxido de metal y selenio para los núcleos internos, realizado con el objetivo de crear un nuevo tipo de memoria, denominada por los investigadores como Write-Once-Erase
Con esta premisa, 13 investigadores han usado tungsteno para sintetizar los clústers de óxido de metal y selenio para los núcleos internos, realizado con el objetivo de crear un nuevo tipo de memoria, denominada por los investigadores como Write-Once-Erase